AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIGW50N65F5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns, Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V, Gate Charge: 1018 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 270 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIGW50N65F5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIGW50N65F5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETES |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AIGW50N65F5XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIGW50N65F5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 270 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIGW50N65F5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AIGW50N65F5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIGW50N65F5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - AIGW50N65F5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 270
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)