Продукція > INFINEON > AIGW50N65H5XKSA1

AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON

Name: AIGW50N65H5XKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 229543-6
Price: 839.31 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIGW50N65H5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 202 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	279.77 грн
10+	273.99 грн
100+	268.22 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AIGW50N65H5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIGW50N65H5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIGW50N65H5XKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AIGW50N65H5XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	AIGW50N65H5XKSA1	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIGW50N65H5XKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 184ns кількість в упаковці: 240 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIGW50N65H5XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIGW50N65H5XKSA1	Виробник : Infineon Technologies	IGBTs DISCRETES	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIGW50N65H5XKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Technology: TRENCHSTOP™ 5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 184ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.