Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIHD04N60RATMA1

AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
IGBT with integrated diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Power dissipation: 75W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 4A, Pulsed collector current: 12A, Turn-on time: 22ns, Turn-off time: 317ns, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Gate charge: 27nC, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції AIHD04N60RATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AIHD04N60RATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD04N60RATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IC DISCRETE 600V TO252-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD04N60RATMA1	Виробник : Infineon Technologies	IGBT Transistors DISCRETES	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD04N60RATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 4A Pulsed collector current: 12A Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Gate charge: 27nC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.