Технічний опис AIHD04N60RATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 4A, Power dissipation: 75W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 12A, Mounting: SMD, Gate charge: 27nC, Kind of package: reel; tape, Turn-on time: 22ns, Turn-off time: 317ns, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції AIHD04N60RATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIHD04N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|
 |
AIHD04N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO252-3 |
товар відсутній |
|
 |
AIHD04N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Transistors DISCRETES |
товар відсутній |
|
|
|
AIHD04N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 4A; 75W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: SMD Gate charge: 27nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 22ns Turn-off time: 317ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товар відсутній |