Технічний опис AIHD10N60RFATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 150W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 64nC, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Technology: TRENCHSTOP™, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 10A, Pulsed collector current: 30A, Turn-on time: 27ns, Turn-off time: 186ns, Collector-emitter voltage: 600V, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції AIHD10N60RFATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIHD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: SMD IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|
| AIHD10N60RFATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IC DISCRETE 600V TO252-3 |
товару немає в наявності |
||
|
|
AIHD10N60RFATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 64nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 10A Pulsed collector current: 30A Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector-emitter voltage: 600V |
товару немає в наявності |