Технічний опис AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Power dissipation: 250W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Collector current: 15A, Turn-on time: 26ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A, Collector-emitter voltage: 600V, Turn-off time: 319ns, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT).
Інші пропозиції AIHD15N60RATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIHD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO252-3 |
товару немає в наявності |
|
 |
AIHD15N60RATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IGBT Transistors DISCRETES |
товару немає в наявності |
|
 |
AIHD15N60RATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Turn-on time: 26ns Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A Collector-emitter voltage: 600V Turn-off time: 319ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) |
товару немає в наявності |