Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIHD15N60RATMA1
AIHD15N60RATMA1

AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies


Виробник: Infineon Technologies
Description: IC DISCRETE 600V TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Power dissipation: 250W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Collector-emitter voltage: 600V, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), Turn-on time: 26ns, Turn-off time: 319ns, Collector current: 15A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 45A.

Інші пропозиції AIHD15N60RATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIHD15N60R_DS_v02_01_EN-1730937.pdf IGBT Transistors DISCRETES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60RATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES AIHD15N60R.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 Infineon_AIHD15N60R_DS_v02_01_EN-1730937.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIHD15N60RATMA1 AIHD15N60R.pdf
AIHD15N60RATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 319ns
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.