Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIHD15N60RATMA1

AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies

195infineon-aihd15n60r-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625c167129015c538.pdf

Виробник: Infineon Technologies
igbt with integrated diode

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис AIHD15N60RATMA1 Infineon Technologies

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Technology: TRENCHSTOP™ RC, Power dissipation: 250W, Case: DPAK, Mounting: SMD, Gate charge: 90nC, Kind of package: reel; tape, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 45A, Turn-on time: 26ns, Turn-off time: 319ns, Collector-emitter voltage: 600V, Gate-emitter voltage: ±20V, Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT), кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції AIHD15N60RATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AIHD15N60RATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) кількість в упаковці: 2500 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD15N60RATMA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IC DISCRETE 600V TO252-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD15N60RATMA1	Виробник : Infineon Technologies	IGBT Transistors DISCRETES	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIHD15N60RATMA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector current: 15A Pulsed collector current: 45A Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.