Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIKB30N65DF5ATMA1

AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies

Name: AIKB30N65DF5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 12873383-3
Price: 577.30 UAH
Availability: InStock

Infineon-Hybrid%20electric%20and%20electric%20cars%202019-ApplicationBrochure-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625d5945ed015dc81f427b36a6

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W

на замовлення 1683 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	288.65 грн
10+	210.66 грн
25+	193.87 грн
100+	164.62 грн
250+	156.35 грн
500+	151.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AIKB30N65DF5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 188W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 55A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції AIKB30N65DF5ATMA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
AIKB30N65DF5ATMA1	Infineon Technologies	IGBTs DISCRETE SWITCHES	на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
AIKB30N65DF5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
AIKB30N65DF5ATMA1	INFINEON	Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 188W euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)	на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

AIKB30N65DF5ATMA1

Infineon_AIKB30N65DF5_DataSheet_v02_01_EN.pdf

Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AIKB30N65DF5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AIKB30N65DF5ATMA1

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.