Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIKB40N65DF5ATMA1
AIKB40N65DF5ATMA1

AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.39 грн
10+233.19 грн
100+165.06 грн
500+127.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 250W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 74A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A.

Інші пропозиції AIKB40N65DF5ATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIKB40N65DF5ATMA1 AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIKB40N65DF5_DataSheet_v02_02_EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB40N65DF5ATMA1 AIKB40N65DF5ATMA1 INFINEON 3159548.pdf Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB40N65DF5ATMA1 AIKB40N65DF5ATMA1 INFINEON 3159548.pdf Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB40N65DF5ATMA1 Infineon_AIKB40N65DF5_DataSheet_v02_02_EN.pdf
AIKB40N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB40N65DF5ATMA1 3159548.pdf
AIKB40N65DF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB40N65DF5ATMA1 3159548.pdf
AIKB40N65DF5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.