AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 151.22 грн |
| 2000+ | 139.77 грн |
| 3000+ | 131.86 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 305W, Verlustleistung: 305W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції AIKB50N65DF5ATMA1 за ціною від 150.99 грн до 427.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies |
 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 6 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 305W Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.19 грн |
| 10+ | 246.69 грн |
| 100+ | 176.77 грн |
| 500+ | 151.46 грн |
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 427.55 грн |
| 10+ | 281.52 грн |
| 100+ | 175.17 грн |
| 500+ | 159.78 грн |
| 1000+ | 150.99 грн |
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 305W
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 305W
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)