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Технічний опис AIKB50N65DF5ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V, Verlustleistung Pd: 305W, Verlustleistung: 305W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Інші пропозиції AIKB50N65DF5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 305W Verlustleistung: 305W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 305W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIKB50N65DF5ATMA1 |
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Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
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на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)