Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIKB50N65DH5ATMA1
AIKB50N65DH5ATMA1

AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Input Type: Standard
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+152.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V, Verlustleistung Pd: 305W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 305W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 80A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AIKB50N65DH5ATMA1 за ціною від 133.21 грн до 411.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 INFINEON 3159551.pdf Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+187.48 грн
500+154.24 грн
1000+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 INFINEON 3159551.pdf Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.99 грн
10+259.02 грн
100+187.48 грн
500+154.24 грн
1000+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.46 грн
10+255.11 грн
100+183.40 грн
500+168.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.15 грн
10+270.72 грн
100+175.50 грн
500+153.65 грн
1000+145.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 3159551.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+187.48 грн
500+154.24 грн
1000+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 3159551.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+360.99 грн
10+259.02 грн
100+187.48 грн
500+154.24 грн
1000+133.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 50A TO263-3-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+396.46 грн
10+255.11 грн
100+183.40 грн
500+168.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKB50N65DH5ATMA1 Infineon-AIKB50N65DH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf
AIKB50N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+411.15 грн
10+270.72 грн
100+175.50 грн
500+153.65 грн
1000+145.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.