AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 667.36 грн |
| 10+ | 440.51 грн |
| 100+ | 333.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 96A TO263-7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns, Switching Energy: 120µJ (on), 90µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V, Gate Charge: 108 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 96 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 326 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIKBE50N65RF5ATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies |
IGBTs SIC_DISCRETE |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AIKBE50N65RF5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 326W Bauform - Transistor: TO-263HV Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIKBE50N65RF5ATMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs SIC_DISCRETE
IGBTs SIC_DISCRETE
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AIKBE50N65RF5ATMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIKBE50N65RF5ATMA1 - IGBT, 96 A, 1.66 V, 326 W, 650 V, TO-263HV, 7 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 326W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 CoolSiC Gen V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 96A
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)