AIKQ200N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 750V; 200A; 535W; PG-TO247-3-U01
Case: PG-TO247-3-U01
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 750V
Power dissipation: 535W
Gate charge: 1260nC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Pulsed collector current: 600A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 202ns
Kind of package: tube
Turn-off time: 344ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 920.97 грн |
| 5+ | 761.02 грн |
| 10+ | 730.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKQ200N75CP2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.071kW, Bauform - Transistor: TO-247 Plus, Dauerkollektorstrom: 200A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AIKQ200N75CP2XKSA1 за ціною від 536.53 грн до 1054.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 750V 200A TO-247-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Active Gate Charge: 1256 nC Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: TO-247-3 Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 576 W Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETE SWITCHES |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
AIKQ200N75CP2XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.071kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Dauerkollektorstrom: 200A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIKQ200N75CP2XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 750V 200A TO-247-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 1256 nC
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 576 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Description: IGBT TRENCH 750V 200A TO-247-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Part Status: Active
Gate Charge: 1256 nC
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: TO-247-3
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 576 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1054.60 грн |
| 30+ | 622.56 грн |
| 120+ | 536.53 грн |
| AIKQ200N75CP2XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETE SWITCHES
IGBTs DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AIKQ200N75CP2XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.071kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.071kW
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Dauerkollektorstrom: 200A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)