AIKW30N60CTXKSA1

AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies


Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.03 грн
10+304.69 грн
30+277.49 грн
120+237.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns, Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off), Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V, Gate Charge: 167 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 187 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIKW30N60CTXKSA1 за ціною від 231.74 грн до 481.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-AIKW30N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382bd177c9f Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+464.63 грн
10+356.52 грн
100+296.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.50 грн
10+362.95 грн
25+287.65 грн
100+262.64 грн
240+238.36 грн
1200+231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 207infineon-aikw30n60ct-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625c167129015c53.pdf IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AIKW30N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 187W
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 167nC
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.