AIKW40N65DF5XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKW40N65DF5XKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 74A TO247-3-41, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns, Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 74 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 250 W, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIKW40N65DF5XKSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBTs DISCRETES |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 95nC Pulsed collector current: 120A Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies |
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. |
| AIKW40N65DF5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
IGBTs DISCRETES
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.
| AIKW40N65DF5XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 95nC
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 95nC
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AIKW40N65DF5XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику
од. на суму грн.