Продукція > INFINEON > AIKW50N60CTXKSA1
AIKW50N60CTXKSA1

AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON

2718739.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW50N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 333 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+547.73 грн
5+485.77 грн
10+422.92 грн
50+329.34 грн
100+278.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns, Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V, Gate Charge: 310 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 333 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIKW50N60CTXKSA1 за ціною від 318.57 грн до 604.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIKW50N60CT_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.90 грн
10+393.05 грн
100+318.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIKW50N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c6127ca1 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+604.36 грн
10+450.82 грн
30+412.55 грн
120+355.12 грн
270+341.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies 160infineon-aikw50n60ct-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4625c167129015c53.pdf IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES AIKW50N60CT.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.