Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIKW50N65DF5XKSA1
AIKW50N65DF5XKSA1

AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-AIKW50N65DF5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015d081326247f3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+398.05 грн
10+293.36 грн
30+267.12 грн
120+228.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 80A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції AIKW50N65DF5XKSA1 за ціною від 214.27 грн до 463.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN.pdf IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.73 грн
10+271.53 грн
100+215.68 грн
480+214.97 грн
1200+214.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 AIKW50N65DF5XKSA1 INFINEON 2718659.pdf Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+463.78 грн
10+305.89 грн
100+279.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 Infineon_AIKW50N65DF5_DS_v02_01_EN.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBTs DISCRETES
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.73 грн
10+271.53 грн
100+215.68 грн
480+214.97 грн
1200+214.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N65DF5XKSA1 2718659.pdf
AIKW50N65DF5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+463.78 грн
10+305.89 грн
100+279.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.