на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 494.79 грн |
| 10+ | 353.12 грн |
| 25+ | 280.46 грн |
| 100+ | 256.14 грн |
| 240+ | 245.50 грн |
| 480+ | 231.81 грн |
| 1200+ | 226.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIKW50N65DH5XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 270W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TRENCHSTOP 5, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції AIKW50N65DH5XKSA1 за ціною від 611.33 грн до 746.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
AIKW50N65DH5XKSA1 Код товару: 168638
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > IGBT |
товару немає в наявності
|
|||||||||
 |
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High speed fast IGBT |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT TRENCH 650V TO247-3-41 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
AIKW50N65DH5XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 |
товару немає в наявності |