Продукція > INFINEON > AIKW75N60CTXKSA1
AIKW75N60CTXKSA1

AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON


Infineon-AIKW75N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c93a7ca3 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 428W
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 77 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1109.16 грн
5+968.81 грн
10+828.47 грн
50+717.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIKW75N60CTXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aikw75n60ct-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIKW75N60CT-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625c167129015c5382c93a7ca3 Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIKW75N60CT-DataSheet-v02_01-EN.pdf IGBTs DISCRETES
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW75N60CTXKSA1 AIKW75N60CTXKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDB1C37C3CAD820&compId=AIKW75N60CT.pdf?ci_sign=30f321bc96abbc3e7898d3a39c8acc9ee7412c40 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.