Продукція > INFINEON > AIKW75N60CTXKSA1

AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON

Name: AIKW75N60CTXKSA1
Brand: INFINEON
SKU: 500225-6
Price: 1081.03 UAH
Availability: InStock

Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1081.03 грн
5+	995.05 грн
10+	909.06 грн
50+	775.14 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис AIKW75N60CTXKSA1 INFINEON

Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns, Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 470 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 428 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIKW75N60CTXKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
AIKW75N60CTXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIKW75N60CTXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIKW75N60CTXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIKW75N60CTXKSA1	Виробник : Infineon Technologies	IGBTs DISCRETES	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
AIKW75N60CTXKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 600V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 75A Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.