AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 187A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 2352.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 882W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AIMBG120R010M1XTMA1 за ціною від 2557.19 грн до 6059.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIMBG120R010M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 187A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AIMBG120R010M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AIMBG120R010M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 0.0087 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 882W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0087ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| AIMBG120R010M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 205A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |
||||||||||||
| AIMBG120R010M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET |
товар відсутній |