Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R010M1XTMA1
AIMBG120R010M1XTMA1

AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon-AIMBG120R010M1-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fe1a7ea4a5b12
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+1254.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V, Power Dissipation (Max): 882W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R010M1XTMA1 за ціною від 1479.21 грн до 2165.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
AIMBG120R010M1XTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1 INFINEON 3968278.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2010.51 грн
50+1794.37 грн
100+1590.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon-AIMBG120R010M1-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fe1a7ea4a5b12 Description: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2158.35 грн
10+1523.84 грн
100+1479.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1 AIMBG120R010M1XTMA1 INFINEON 3968278.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2165.11 грн
5+2087.81 грн
10+2010.51 грн
50+1794.37 грн
100+1590.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1 3968278.pdf
AIMBG120R010M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+2010.51 грн
50+1794.37 грн
100+1590.09 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1 Infineon-AIMBG120R010M1-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8fc2dd9c018fe1a7ea4a5b12
AIMBG120R010M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 93A, 20V
Power Dissipation (Max): 882W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 30mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5703 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2158.35 грн
10+1523.84 грн
100+1479.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R010M1XTMA1 3968278.pdf
AIMBG120R010M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R010M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 205 A, 1.2 kV, 8700 µohm, TO-263
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 882W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+2165.11 грн
5+2087.81 грн
10+2010.51 грн
50+1794.37 грн
100+1590.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.