Продукція > INFINEON > AIMBG120R020M1XTMA1
AIMBG120R020M1XTMA1

AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON

448_AIMBG120R.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1495.69 грн
50+1276.73 грн
100+1075.02 грн
250+1053.63 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R020M1XTMA1 INFINEON

Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V, Power Dissipation (Max): 468W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R020M1XTMA1 за ціною від 990.00 грн до 1954.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1740.35 грн
10+1212.00 грн
100+990.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 Виробник : INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R020M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 104 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 104A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1938.44 грн
5+1717.06 грн
10+1495.69 грн
50+1276.73 грн
100+1075.02 грн
250+1053.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R020M1_DataSheet_v01_10_EN-3460756.pdf MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1954.86 грн
10+1429.32 грн
25+1242.17 грн
100+1133.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimbg120r020m1-datasheet-v01_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 104A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R020M1XTMA1 AIMBG120R020M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 43A, 20V
Power Dissipation (Max): 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 15mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2667 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.