Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R030M1XTMA1
AIMBG120R030M1XTMA1

AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies

448_AIMBG120R.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+567.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R030M1XTMA1 за ціною від 506.52 грн до 1073.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 INFINEON 4127734.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 INFINEON 4127734.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+972.98 грн
5+840.48 грн
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1073.04 грн
10+729.95 грн
100+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R030M1_DataSheet_v01_10_EN-3460823.pdf MOSFETs Y
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 448_AIMBG120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 70A; 333W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Gate-source voltage: -5...23V
Gate charge: 57nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 333W
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+763.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 4127734.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 4127734.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG120R030M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 70 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, TO-263HV
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 333W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263HV
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+972.98 грн
5+840.48 грн
10+707.18 грн
50+603.83 грн
100+516.97 грн
250+506.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 70A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1073.04 грн
10+729.95 грн
100+668.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon_AIMBG120R030M1_DataSheet_v01_10_EN-3460823.pdf
AIMBG120R030M1XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs Y
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 448_AIMBG120R.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 70A; 333W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Gate-source voltage: -5...23V
Gate charge: 57nC
On-state resistance: 38mΩ
Power dissipation: 333W
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+763.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.