AIMBG120R030M1XTMA1

AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies


448_AIMBG120R.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+634.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R030M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V, Power Dissipation (Max): 333W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R030M1XTMA1 за ціною від 747.92 грн до 1574.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 27A, 20V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 8.6mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1738 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1172.14 грн
10+801.39 грн
100+747.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R030M1XTMA1 AIMBG120R030M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R030M1_DataSheet_v01_10_EN-3460823.pdf MOSFETs Y
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1574.77 грн
10+1368.25 грн
25+1158.21 грн
50+1092.90 грн
100+1029.04 грн
250+996.75 грн
500+963.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.