Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R040M1XTMA1
AIMBG120R040M1XTMA1

AIMBG120R040M1XTMA1 Infineon Technologies

448_AIMBG120R.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+414.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R040M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R040M1XTMA1 за ціною від 488.97 грн до 1245.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+784.53 грн
50+684.80 грн
100+591.10 грн
250+579.27 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+905.94 грн
10+608.56 грн
100+488.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonaimbg120r040m1datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+907.14 грн
19+740.24 грн
25+727.77 грн
50+694.69 грн
100+599.46 грн
250+571.66 грн
500+558.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1079.04 грн
5+932.19 грн
10+784.53 грн
50+684.80 грн
100+591.10 грн
250+579.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonaimbg120r040m1datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1245.97 грн
10+871.80 грн
100+767.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R040M1_DataSheet_v01_10_EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.