Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R040M1XTMA1
AIMBG120R040M1XTMA1

AIMBG120R040M1XTMA1 Infineon Technologies

448_AIMBG120R.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+504.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R040M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), Supplier Device Package: PG-TO263-7, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V, Power Dissipation (Max): 268W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V.

Інші пропозиції AIMBG120R040M1XTMA1 за ціною від 505.97 грн до 1209.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonaimbg120r040m1datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+821.81 грн
19+670.62 грн
25+659.32 грн
50+629.35 грн
100+543.08 грн
250+517.89 грн
500+505.97 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+866.27 грн
50+756.15 грн
100+652.68 грн
250+639.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 54A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 20V
Power Dissipation (Max): 268W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 6.4mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1264 pF @ 800 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1001.19 грн
10+674.63 грн
100+594.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : INFINEON 448_AIMBG120R.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R040M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 54 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 268W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1191.46 грн
5+1029.31 грн
10+866.27 грн
50+756.15 грн
100+652.68 грн
250+639.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonaimbg120r040m1datasheetv0110en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1209.41 грн
10+846.22 грн
100+745.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R040M1XTMA1 AIMBG120R040M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R040M1_DataSheet_v01_10_EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.