Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R060M1XTMA1
AIMBG120R060M1XTMA1

AIMBG120R060M1XTMA1 Infineon Technologies

448_AIMBG120R.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+870.95 грн
10+582.60 грн
100+520.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R060M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R060M1XTMA1 за ціною від 665.22 грн до 1087.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R060M1XTMA1 AIMBG120R060M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R060M1_DataSheet_v01_10_EN-3360572.pdf MOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1087.52 грн
10+944.90 грн
25+799.41 грн
50+754.92 грн
100+710.42 грн
250+688.18 грн
500+665.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1 AIMBG120R060M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.