Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R060M1XTMA1
AIMBG120R060M1XTMA1

AIMBG120R060M1XTMA1 Infineon Technologies

448_AIMBG120R.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+880.09 грн
10+588.71 грн
100+525.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R060M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V, Power Dissipation (Max): 202W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R060M1XTMA1 за ціною від 463.66 грн до 1056.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R060M1XTMA1 AIMBG120R060M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG120R060M1_DataSheet_v01_10_EN-3360572.pdf MOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1056.66 грн
10+918.08 грн
25+776.72 грн
50+733.49 грн
100+690.26 грн
250+668.65 грн
500+646.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES 448_AIMBG120R.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1.2kV; 38A; 202W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Power dissipation: 202W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+463.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R060M1XTMA1 AIMBG120R060M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-12
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.