на замовлення 609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 771.09 грн |
| 10+ | 669.94 грн |
| 25+ | 567.28 грн |
| 50+ | 535.39 грн |
| 100+ | 504.17 грн |
| 250+ | 488.23 грн |
| 500+ | 473.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Supplier Device Package: PG-TO263-7-12, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
Інші пропозиції AIMBG120R080M1XTMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 AIMBG120R080M1 |
товар відсутній |
||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |
||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |