
AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 652.06 грн |
10+ | 430.53 грн |
100+ | 349.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 168W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V.
Інші пропозиції AIMBG120R080M1XTMA1 за ціною від 298.74 грн до 849.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 168W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |