на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 704.30 грн |
| 10+ | 516.34 грн |
| 100+ | 373.53 грн |
| 500+ | 333.54 грн |
| 1000+ | 297.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 168W, Bauform - Transistor: TO-263, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Trench Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції AIMBG120R080M1XTMA1 за ціною від 393.27 грн до 845.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SIC_DISCRETEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 168W Bauform - Transistor: TO-263 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Trench Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
AIMBG120R080M1 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
AIMBG120R080M1XTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Supplier Device Package: PG-TO263-7-12 Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |