Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG120R080M1XTMA1
AIMBG120R080M1XTMA1

AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies

Infineon_AIMBG120R080M1_DataSheet_v01_10_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.73 грн
10+329.81 грн
100+253.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG120R080M1XTMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V, Power Dissipation (Max): 168W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA, Supplier Device Package: PG-TO263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMBG120R080M1XTMA1 за ціною від 326.14 грн до 793.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG120R080M1XTMA1 AIMBG120R080M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+609.25 грн
10+402.27 грн
100+326.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1 AIMBG120R080M1XTMA1 Виробник : INFINEON 3968276.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+757.39 грн
50+685.58 грн
100+617.17 грн
250+601.51 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1 AIMBG120R080M1XTMA1 Виробник : INFINEON 3968276.pdf Description: INFINEON - AIMBG120R080M1XTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 168W
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+793.95 грн
5+775.67 грн
10+757.39 грн
50+685.58 грн
100+617.17 грн
250+601.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG120R080M1XTMA1 AIMBG120R080M1XTMA1 Виробник : Infineon Technologies 448_AIMBG120R.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 30.6A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 20V
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 3.3mA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 671 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.