Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMBG75R033M2HXTMA1
AIMBG75R033M2HXTMA1

AIMBG75R033M2HXTMA1 Infineon Technologies

infineon_aimbg75r033m2h_datasheet_en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG75R033M2HXTMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMBG75R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 750 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 189W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.

Інші пропозиції AIMBG75R033M2HXTMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMBG75R033M2HXTMA1 AIMBG75R033M2HXTMA1 INFINEON Description: INFINEON - AIMBG75R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 750 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R033M2HXTMA1
AIMBG75R033M2HXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R033M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 750 V, 0.03 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC G2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.