
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 471.68 грн |
10+ | 318.25 грн |
100+ | 198.42 грн |
500+ | 177.53 грн |
1000+ | 165.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMBG75R140M1HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції AIMBG75R140M1HXTMA1 за ціною від 188.04 грн до 507.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
AIMBG75R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
AIMBG75R140M1HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Gen I Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
AIMBG75R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AIMBG75R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AIMBG75R140M1HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |