Продукція > INFINEON > AIMBG75R140M1HXTMA1
AIMBG75R140M1HXTMA1

AIMBG75R140M1HXTMA1 INFINEON

4015360.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+207.32 грн
500+174.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMBG75R140M1HXTMA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen I Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIMBG75R140M1HXTMA1 за ціною від 152.73 грн до 517.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 Виробник : INFINEON 4015360.pdf Description: INFINEON - AIMBG75R140M1HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+400.07 грн
10+289.56 грн
100+207.32 грн
500+174.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 AIMBG75R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMBG75R140M1H_DataSheet_v02_01_EN-3387138.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.40 грн
10+294.21 грн
100+184.05 грн
500+180.99 грн
1000+152.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: IGBT
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+210.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMBG75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8b6555fe018bae4dadd27ee2 Description: IGBT
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.13 грн
10+336.26 грн
100+244.38 грн
500+192.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMBG75R140M1HXTMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimbg75r140m1h-datasheet-v02_01-en.pdf AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.