Продукція > INFINEON > AIMDQ75R008M1HXUMA1
AIMDQ75R008M1HXUMA1

AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

4015354.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2779.96 грн
50+2495.22 грн
100+2224.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMDQ75R008M1HXUMA1 INFINEON

Description: AUTOMOTIVE_SICMOS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V, Power Dissipation (Max): 625W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMDQ75R008M1HXUMA1 за ціною від 1785.83 грн до 3317.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b Description: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2788.22 грн
10+1995.57 грн
100+1785.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMDQ75R008M1H_DataSheet_v02_00_EN-3387166.pdf MOSFETs Y
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3041.86 грн
10+2664.60 грн
25+2231.41 грн
50+2193.68 грн
100+2026.78 грн
250+1956.39 грн
500+1924.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : INFINEON 4015354.pdf Description: INFINEON - AIMDQ75R008M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3317.23 грн
5+3048.60 грн
10+2779.96 грн
50+2495.22 грн
100+2224.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimdq75r008m1h-datasheet-v02_00-en.pdf AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R008M1HXUMA1 AIMDQ75R008M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R008M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b2326afd9327b Description: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6mOhm @ 90.3A, 18V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6135 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.