AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V
Power Dissipation (Max): 394W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1199.32 грн |
| 10+ | 821.84 грн |
| 100+ | 775.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMDQ75R016M2HXTMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 394W, Bauform - Transistor: HDSOP, Anzahl der Pins: 22Pin(s), Produktpalette: CoolSiC G2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AIMDQ75R016M2HXTMA1 за ціною від 767.03 грн до 1442.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 |
на замовлення 1401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - AIMDQ75R016M2HXTMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, AEC-Q101, Eins, n-Kanal, 103 A, 750 V, 0.014 ohm, HDSOP tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 394W Bauform - Transistor: HDSOP Anzahl der Pins: 22Pin(s) Produktpalette: CoolSiC G2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
AIMDQ75R016M2HXTMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 55.8A, 20V Power Dissipation (Max): 394W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 12.3mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |