AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 750+ | 230.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMDQ75R060M1HXUMA1 за ціною від 271.68 грн до 654.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIMDQ75R060M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 22-PowerBSOP Module Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 11.1A, 18V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 4mA Supplier Device Package: PG-HDSOP-22 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 779 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMDQ75R060M1HXUMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|