Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMDQ75R140M1HXUMA1
AIMDQ75R140M1HXUMA1

AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+391.25 грн
10+251.23 грн
100+179.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMDQ75R140M1HXUMA1 Infineon Technologies

Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-PowerBSOP Module, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMDQ75R140M1HXUMA1 за ціною від 147.93 грн до 541.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+397.92 грн
100+291.06 грн
500+226.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMDQ75R140M1H_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+402.09 грн
10+279.67 грн
100+181.23 грн
500+151.03 грн
750+147.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : INFINEON Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: INFINEON - AIMDQ75R140M1HXUMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: HDSOP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen I Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+541.28 грн
10+397.92 грн
100+291.06 грн
500+226.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimdq75r140m1h-datasheet-v02_01-en.pdf AUTOMOTIVE_SICMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMDQ75R140M1HXUMA1 AIMDQ75R140M1HXUMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMDQ75R140M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8afe5bd0018b60e0f8e8217f Description: SICFET N-CH 750V PG-HDSOP-22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-PowerBSOP Module
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-HDSOP-22-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.