Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMW120R045M1XKSA1
AIMW120R045M1XKSA1

AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

infineonaimw120r045m1datasheetv0310en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+1744.01 грн
100+1656.98 грн
500+1569.96 грн
1000+1429.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 228W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm.

Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1035.11 грн до 2345.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1753.03 грн
30+1081.52 грн
120+1035.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonaimw120r045m1datasheetv0310en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2036.14 грн
8+2015.87 грн
10+1599.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies infineonaimw120r045m1datasheetv0310en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2345.53 грн
10+2118.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMW120R045M1_DataSheet_v03_10_EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON 3049626.pdf Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 228W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1753.03 грн
30+1081.52 грн
120+1035.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 infineonaimw120r045m1datasheetv0310en.pdf
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2036.14 грн
8+2015.87 грн
10+1599.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 infineonaimw120r045m1datasheetv0310en.pdf
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2345.53 грн
10+2118.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 Infineon_AIMW120R045M1_DataSheet_v03_10_EN.pdf
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 3049626.pdf
AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 228W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.