Продукція > INFINEON > AIMW120R045M1XKSA1
AIMW120R045M1XKSA1

AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON

3049626.pdf Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1637.86 грн
5+1388.76 грн
10+1138.85 грн
50+1048.43 грн
100+958.71 грн
250+939.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1009.40 грн до 1719.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_AIMW120R045M1_DataSheet_v03_10_EN-3360517.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1692.37 грн
10+1642.32 грн
25+1009.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1719.09 грн
30+1060.58 грн
120+1015.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 AIMW120R045M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-aimw120r045m1-datasheet-v03_10-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R045M1XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMW120R045M1-DataSheet-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4626e8d4b8f016e9304fd2e66c4 AIMW120R045M1XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.