на замовлення 1811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1586.48 грн |
| 10+ | 1311.09 грн |
| 25+ | 1034.2 грн |
| 50+ | 1030.87 грн |
| 100+ | 998.9 грн |
| 240+ | 941.63 грн |
| 480+ | 907 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 228W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3, Part Status: Active, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1511.52 грн до 2019.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 75mΩ Drain current: 36A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 114W Technology: CoolSiC™; SiC Case: TO247 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 130A Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; Idm: 130A; 114W Mounting: THT Kind of package: tube Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 75mΩ Drain current: 36A Drain-source voltage: 1.2kV Power dissipation: 114W Technology: CoolSiC™; SiC Case: TO247 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -7...20V Pulsed drain current: 130A Polarisation: unipolar |
товар відсутній |