AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -7V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 228W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1685.71 грн |
| 30+ | 1039.98 грн |
| 120+ | 995.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1423.59 грн до 2335.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 228W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
на замовлення 807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 2020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 1736.22 грн |
| 100+ | 1649.59 грн |
| 500+ | 1562.95 грн |
| 1000+ | 1423.59 грн |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2027.05 грн |
| 8+ | 2006.87 грн |
| 10+ | 1592.61 грн |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2335.06 грн |
| 10+ | 2109.26 грн |
| AIMW120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| AIMW120R045M1XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)