AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 228W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1186.08 грн |
| 5+ | 1159.21 грн |
| 10+ | 1132.33 грн |
| 50+ | 1030.66 грн |
| 100+ | 931.41 грн |
| 250+ | 912.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R045M1XKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - AIMW120R045M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SiC-Trench, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 228W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції AIMW120R045M1XKSA1 за ціною від 1117.06 грн до 1891.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 228W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 10mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMW120R045M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 52A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |