Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMW120R080M1XKSA1
AIMW120R080M1XKSA1

AIMW120R080M1XKSA1 Infineon Technologies

Infineon_AIMW120R080M1_DataSheet_v03_00_EN.pdf Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.28 грн
10+1104.52 грн
25+621.14 грн
100+601.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMW120R080M1XKSA1 Infineon Technologies

Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції AIMW120R080M1XKSA1 за ціною від 668.48 грн до 1261.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AIMW120R080M1XKSA1 AIMW120R080M1XKSA1 Виробник : INFINEON 3215552.pdf Description: INFINEON - AIMW120R080M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1153.38 грн
5+961.74 грн
10+770.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1 AIMW120R080M1XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-AIMW120R080M1-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627862c3e5017883c1deda0f1e Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1261.22 грн
30+752.54 грн
120+668.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMW120R080M1XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD099C064DB79BC60E1&compId=AIMW120R080M1.pdf?ci_sign=224fa7f7107a6dd3851015adf47da4270da17c9c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 24A; Idm: 74A; 75W; TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -7...20V
On-state resistance: 135mΩ
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 74A
Power dissipation: 75W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Case: TO247
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.