AIMW120R080M1XKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - AIMW120R080M1XKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1075.22 грн |
| 5+ | 896.57 грн |
| 10+ | 717.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMW120R080M1XKSA1 INFINEON
Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-41, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +20V, -7V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMW120R080M1XKSA1 за ціною від 623.18 грн до 1175.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMW120R080M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs Y |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
AIMW120R080M1XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: 1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 13A, 15V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +20V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 567 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|