AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: AUTOMOTIVE_SICMOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V
Power Dissipation (Max): 517W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2521.58 грн |
| 30+ | 1611.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: AUTOMOTIVE_SICMOS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 90.3A, 20V, Power Dissipation (Max): 517W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 32.4mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4-U02, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6137 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMZA75R008M1HXKSA1 за ціною від 1839.88 грн до 2726.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMZA75R008M1HXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|