Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZA75R016M1HXKSA1
AIMZA75R016M1HXKSA1

AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195
Виробник: Infineon Technologies
Description: SICFET N-CH 750V 89A PG-TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 41.5A, 18V
Power Dissipation (Max): 319W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 14.9mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2869 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1383.97 грн
30+829.20 грн
120+762.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 319W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIMZA75R016M1HXKSA1 за ціною від 1221.33 грн до 1659.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZA75R016M1HXKSA1 AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-aimza75r016m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1659.66 грн
5+1651.23 грн
10+1221.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-aimza75r016m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1659.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 AIMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195 Description: INFINEON - AIMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+1319.75 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 infineon-aimza75r016m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
AIMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1659.66 грн
5+1651.23 грн
10+1221.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 infineon-aimza75r016m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
AIMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 89A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1659.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf
AIMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195
AIMZA75R016M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R016M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 89 A, 750 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 319W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon-AIMZA75R016M1H-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018da7d8a6134195
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 750V; 89A; 319W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 750V
Drain current: 89A
Power dissipation: 319W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+1319.75 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.