AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies


infineon-aimza75r027m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+820.74 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIMZA75R027M1HXKSA1 за ціною від 710.31 грн до 1012.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZA75R027M1HXKSA1 AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies infineon-aimza75r027m1h-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1012.65 грн
10+833.67 грн
25+828.98 грн
50+791.43 грн
100+710.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1 AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMZA75R027M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1 AIMZA75R027M1HXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1 infineon-aimza75r027m1h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 60A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1012.65 грн
10+833.67 грн
25+828.98 грн
50+791.43 грн
100+710.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1 Infineon_AIMZA75R027M1H_DataSheet_v02_00_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZA75R027M1HXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZA75R027M1HXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 60 A, 750 V, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.6V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Gen 1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.