AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.65 грн |
| 10+ | 121.73 грн |
| 100+ | 121.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA, Supplier Device Package: PG-TO247-4, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V, Vgs (Max): +23V, -5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції AIMZA75R140M1HXKSA1 за ціною від 124.65 грн до 462.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AIMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V Vgs (Max): +23V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
AIMZA75R140M1HXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| AIMZA75R140M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 750V 16A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 114+ | 124.65 грн |
| AIMZA75R140M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 4.7A, 20V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.6V @ 1.7mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 351 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.05 грн |
| 30+ | 230.82 грн |
| 120+ | 192.40 грн |
| AIMZA75R140M1HXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
SiC MOSFETs AUTOMOTIVE_SICMOS
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 462.13 грн |
| 10+ | 271.53 грн |
| 100+ | 195.24 грн |
| 480+ | 174.80 грн |