Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZH120R020M1TXKSA1
AIMZH120R020M1TXKSA1

AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies

infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1899.94 грн
10+1187.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 429W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.

Інші пропозиції AIMZH120R020M1TXKSA1 за ціною від 1187.11 грн до 1933.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1899.94 грн
12+1187.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1933.99 грн
10+1591.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1933.99 грн
10+1591.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZH120R020M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 AIMZH120R020M1TXKSA1 INFINEON 4127456.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1899.94 грн
12+1187.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1933.99 грн
10+1591.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 infineonaimzh120r020m1tdatasheetv0100en.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1933.99 грн
10+1591.10 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon-AIMZH120R020M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R020M1TXKSA1 4127456.pdf
AIMZH120R020M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R020M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 429W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.