Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZH120R060M1TXKSA1
AIMZH120R060M1TXKSA1

AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-AIMZH120R060M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c68e9f6574a76
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+849.01 грн
30+493.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції AIMZH120R060M1TXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZH120R060M1TXKSA1 AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMZH120R060M1T_DataSheet_v01_00_EN-3387196.pdf MOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1 AIMZH120R060M1TXKSA1 INFINEON 4127459.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon_AIMZH120R060M1T_DataSheet_v01_00_EN-3387196.pdf
AIMZH120R060M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SIC_DISCRETE
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R060M1TXKSA1 4127459.pdf
AIMZH120R060M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.