AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 4.3mA
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 13A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 774.30 грн |
| 30+ | 444.08 грн |
| 120+ | 377.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AIMZH120R060M1TXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 38A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 197W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції AIMZH120R060M1TXKSA1 за ціною від 484.40 грн до 1008.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
AIMZH120R060M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AIMZH120R060M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AIMZH120R060M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
AIMZH120R060M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
AIMZH120R060M1TXKSA1 | Infineon Technologies |
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
AIMZH120R060M1TXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 197W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: CoolSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 998.77 грн |
| 10+ | 597.05 грн |
| 25+ | 591.00 грн |
| 50+ | 564.25 грн |
| 100+ | 484.40 грн |
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 998.77 грн |
| 24+ | 597.05 грн |
| 25+ | 591.00 грн |
| 50+ | 564.25 грн |
| 100+ | 484.40 грн |
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1008.58 грн |
| 10+ | 693.64 грн |
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 38A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 1008.58 грн |
| 21+ | 693.64 грн |
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AIMZH120R060M1TXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: INFINEON - AIMZH120R060M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)