Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZH120R120M1TXKSA1
AIMZH120R120M1TXKSA1

AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies

infineonaimzh120r120m1tdatasheetv0100en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+445.80 грн
960+409.33 грн
1440+382.87 грн
1920+350.07 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZH120R120M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 133W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.

Інші пропозиції AIMZH120R120M1TXKSA1 за ціною від 250.68 грн до 690.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZH120R120M1TXKSA1 AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-AIMZH120R120M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c68ea273e4a88 Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.01 грн
30+298.76 грн
120+250.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r120m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+690.01 грн
10+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies infineonaimzh120r120m1tdatasheetv0100en.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+690.01 грн
36+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIMZH120R120M1T_DataSheet_v01_00_EN.pdf SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 AIMZH120R120M1TXKSA1 INFINEON 4127461.pdf Description: INFINEON - AIMZH120R120M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon-AIMZH120R120M1T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8c3de074018c68ea273e4a88
AIMZH120R120M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7A, 20V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 2.2mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4-11
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.01 грн
30+298.76 грн
120+250.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 infineonaimzh120r120m1tdatasheetv0100en.pdf
AIMZH120R120M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+690.01 грн
10+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 infineonaimzh120r120m1tdatasheetv0100en.pdf
AIMZH120R120M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 22A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+690.01 грн
36+403.56 грн
100+339.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon_AIMZH120R120M1T_DataSheet_v01_00_EN.pdf
AIMZH120R120M1TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
SiC MOSFETs SIC_DISCRETE
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZH120R120M1TXKSA1 4127461.pdf
AIMZH120R120M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZH120R120M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 22 A, 1.2 kV, 0.15 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 133W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.