Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AIMZHN120R010M1TXKSA1
AIMZHN120R010M1TXKSA1

AIMZHN120R010M1TXKSA1 Infineon Technologies

Infineon_AIMZHN120R010M1T_DataSheet_v01_00_EN-3387161.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AIMZHN120R010M1TXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 202A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: CoolSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції AIMZHN120R010M1TXKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AIMZHN120R010M1TXKSA1 AIMZHN120R010M1TXKSA1 INFINEON Description: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AIMZHN120R010M1TXKSA1
AIMZHN120R010M1TXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AIMZHN120R010M1TXKSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 202A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.