ALD1102BSAL Advanced Linear Devices Inc.
Виробник: Advanced Linear Devices Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ALD1102BSAL Advanced Linear Devices Inc.
Description: MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V, Power - Max: 500mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tube, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції ALD1102BSAL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ALD1102BSAL | Advanced Linear Devices |
MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |
| ALD1102BSAL |
|
Виробник: Advanced Linear Devices
MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm
MOSFET Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.