Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції ALD212900APAL за ціною від 403.33 грн до 931.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ALD212900APAL | Advanced Linear Devices Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIPPackaging: Tube Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA Supplier Device Package: 8-PDIP |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ALD212900APAL | Advanced Linear Devices |
MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V |
на замовлення 16 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| ALD212900APAL |
|
Виробник: Advanced Linear Devices Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA
Supplier Device Package: 8-PDIP
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA
Supplier Device Package: 8-PDIP
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 746.75 грн |
| ALD212900APAL |
|
Виробник: Advanced Linear Devices
MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
на замовлення 16 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 931.65 грн |
| 10+ | 668.66 грн |
| 100+ | 484.29 грн |
| 500+ | 431.30 грн |
| 1000+ | 403.33 грн |