ALD212900ASAL Advanced Linear Devices
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 644.27 грн |
| 10+ | 498.20 грн |
| 50+ | 390.41 грн |
| 100+ | 345.42 грн |
| 250+ | 325.10 грн |
| 500+ | 309.86 грн |
| 1000+ | 293.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ALD212900ASAL Advanced Linear Devices
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC, Packaging: Tube, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції ALD212900ASAL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ALD212900ASAL | Виробник : Advanced Linear Devices Inc. |
 Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOICPackaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |