ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc.


ALD212900.pdf
Виробник: Advanced Linear Devices Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 20mV @ 20µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+615.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ALD212900PAL Advanced Linear Devices Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8PDIP, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-PDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 20mV @ 20µA, FET Feature: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14Ohm, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 10.6V, Power - Max: 500mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Tube.

Інші пропозиції ALD212900PAL за ціною від 314.10 грн до 759.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
ALD212900PAL ALD212900PAL Advanced Linear Devices ALD212900.pdf MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.41 грн
10+418.24 грн
100+334.07 грн
500+314.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ALD212900PAL ALD212900.pdf
Виробник: Advanced Linear Devices
MOSFETs Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+759.41 грн
10+418.24 грн
100+334.07 грн
500+314.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.