AMF12S18LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3128.59 грн |
| 10+ | 2274.07 грн |
| 25+ | 1750.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AMF12S18LB2ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Vierfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm.
Інші пропозиції AMF12S18LB2ZXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AMF12S18LB2ZXKMA1 | INFINEON |
 Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIPtariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Vierfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm |
на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AMF12S18LB2ZXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
Description: INFINEON - AMF12S18LB2ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Vollbrücke, Vierfach n-Kanal, 83 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)