AMM12S18LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: AMM12S18LB1ZXKMA1
Packaging: Tube
Package / Case: 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 312W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2704pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.4mOhm @ 37.4A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.1V @ 11.8mA
Supplier Device Package: DIP 44x28DA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3475.58 грн |
| 11+ | 2499.04 грн |
| 55+ | 2208.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AMM12S18LB1ZXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 312W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm.
Інші пропозиції AMM12S18LB1ZXKMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
AMM12S18LB1ZXKMA1 | Infineon Technologies |
Power Management Specialised - PMIC CIPOS Prime power module |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
AMM12S18LB1ZXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack Verlustleistung: 312W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DIP Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: CIPOS Prime Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| AMM12S18LB1ZXKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Power Management Specialised - PMIC CIPOS Prime power module
Power Management Specialised - PMIC CIPOS Prime power module
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| AMM12S18LB1ZXKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
Description: INFINEON - AMM12S18LB1ZXKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 85 A, 1.2 kV, 0.0264 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 312W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0264ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)