Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > AMM12S36LB1Z2XKMA1
AMM12S36LB1Z2XKMA1

AMM12S36LB1Z2XKMA1 Infineon Technologies

Infineon_2-23-2026_AMM12S36LB1Z2.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Power Management Specialised - PMIC CIPOS Prime power module
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AMM12S36LB1Z2XKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack, Verlustleistung: 176W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 32Pin(s), Produktpalette: CIPOS Prime Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm.

Інші пропозиції AMM12S36LB1Z2XKMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AMM12S36LB1Z2XKMA1 AMM12S36LB1Z2XKMA1 INFINEON 4759669.pdf Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AMM12S36LB1Z2XKMA1 4759669.pdf
AMM12S36LB1Z2XKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - AMM12S36LB1Z2XKMA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, SixPack, Sechsfach n-Kanal, 45 A, 1.2 kV, 0.0508 ohm, DIP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: SixPack
Verlustleistung: 176W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: CIPOS Prime Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Sechsfach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0508ohm
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.