AO3160E

AO3160E Alpha & Omega Semiconductor Inc.


Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23A-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO3160E Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 8µA, Supplier Device Package: SOT-23A-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AO3160E за ціною від 10.24 грн до 43.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AO3160E AO3160E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. Description: MOSFET N-CH 600V 40MA SOT23A-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500Ohm @ 16mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.39W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 8µA
Supplier Device Package: SOT-23A-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5 pF @ 25 V
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.88 грн
13+26.07 грн
100+16.60 грн
500+11.73 грн
1000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AO3160E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AO3160E SMD N channel transistors
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.10 грн
105+10.81 грн
290+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AO3160E AO3160E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao3160e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.04A 3-Pin SOT-23A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO3160E AO3160E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao3160e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.04A 3-Pin SOT-23A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.