Технічний опис AO3407 ALPHA
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO3407
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| AO3407 | Виробник : ALPHA |
SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO3407 | Виробник : ALPHA |
SOT23 |
на замовлення 563560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO3407 | Виробник : AO |
09+ |
на замовлення 60018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO3407 | Виробник : AOS |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| AO3407 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3407 HXY MOSFET TAO3407 HXY |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||
| AO3407 | Виробник : KEXIN |
09+ |
на замовлення 201018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
AO3407 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
| AO3407 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 41A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 41A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.2nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

