AO3409A UMW
Виробник: UMW
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.24 грн |
| 34+ | 8.99 грн |
| 39+ | 7.92 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 250+ | 5.81 грн |
| 500+ | 5.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AO3409A UMW
Description: 30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AO3409A за ціною від 2.65 грн до 2.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO3409A | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| AO3409A | UMW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW кількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| AO3409A |
|
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.65 грн |
| AO3409A |
|
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3409A UMW TAO3409a UMW
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 250+ | 2.65 грн |