Продукція > ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR > AO4264E
AO4264E

AO4264E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1B991A0B3D820&compId=AO4264E.pdf?ci_sign=02934e43319c6f1868a54a17cd6a712e88b6eab9 Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+55.09 грн
12+33.80 грн
25+23.80 грн
54+17.13 грн
147+16.20 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AO4264E ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції AO4264E за ціною від 19.44 грн до 66.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AO4264E AO4264E Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A6B1B991A0B3D820&compId=AO4264E.pdf?ci_sign=02934e43319c6f1868a54a17cd6a712e88b6eab9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.11 грн
7+42.12 грн
25+28.56 грн
54+20.56 грн
147+19.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AO4264E
Код товару: 170185
Додати до обраних Обраний товар

AO4264E.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4264E AO4264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 10ao4264e.pdf 60V N-Channel ALPHASGT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4264E AO4264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor ao4264e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AO4264E AO4264E Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4264E.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.